1. 产品信息

    4H 半绝缘型

    SiC单晶衬底

    4H Semi-Insulating

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    当前位置 >4H-半绝缘型衬底
    新黄金城集团先进不断追求更高的晶体质量和加工质量
    更好的满足客户的需求
    目前可批量供应4&6英寸产品
    8英寸产品正在研发中

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    基本信息

    半绝缘型
    • 晶型 4H
    • 直径(mm) 100 & 150
    • 偏角(°) 0
    • 厚度(μm) 500
    • 表面状态 Epi-ready

    微波射频器件

    通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,可进一步制成HEMT等微波射频器件,应用于信息通讯、无线电探测等领域。

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