1. 产品信息

      4H 导电型

      SiC单晶衬底

      4H n-Type

      当前位置 > 4H-导电型碳化硅单晶衬底
      新黄金城集团先进不断追求更高的晶体质量和加工质量
      更好的满足客户的需求
      目前可批量供应6英寸产品
      8英寸产品正在研发中

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      基本信息

      导电型
      • 晶型 4H
      • 直径(mm) 150
      • 偏角(°) 4
      • 厚度(μm) 350
      • 表面状态 Epi-ready

      电力电子器件

      通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层,制得碳化硅同质外延片,可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件,应用在新能源汽车,轨道交通以及大功率输电变电等领域。
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