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    新黄金城集团先进 碳化硅单晶衬底
    衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣,为使材料能满足不同芯片的功能要求,需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。
    按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为高电阻率的半绝缘型碳化硅衬底,和低电阻率的导电型碳化硅衬底。

    4H n-Type

    4H-导电型碳化硅单晶衬底

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    4H Semi-Insulating-type

    4H-半绝缘型碳化硅单晶衬底

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