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        単結晶

        SiCウェーハ製造方法

        SiC wafer manufacturing process

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        単結晶SiCウェーハ製造方法

        SICCではSiCパウダー合成から結晶成長、Waferingの一貫生産ラインを保有し、
        エピレディの単結晶SiCウェーハを生産しています。

        炭化ケイ素単結晶(SiC)は地球上において天然には存在しない物質なので、すべて人工的に製造されます。
        SICCでは昇華法(改良レーリー法・昇華再結晶法)という成長技術でSiC単結晶を生産しています。
        結晶成長中は2000度を超えるプロセスとなるので、成長途中の観察が困難なため、複雑なパラメーターと計算技術をもって
        生産を管理しており、近年ではAI技術を導入するなど、最先端の成長技術に取り組んでいます。

        昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工(Wafering)と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、
        単結晶SiCウェーハとなります。
        完成した単結晶SiCウェーハは、エピタキシャル工程へ進み半導体デバイス製作のプロセスに入っていきますが、
        これをエピレディウェーハといいます。

        1.

        パウダー合成

        Si+C=SiCパウダー
        SiとCを1:1の割合で合成し、SiCパウダーを製造します。
        結晶成長における不純物混入を避けるため、
        高純度プロセスで金属残留を出来るだけ防ぎます(0.5ppm以内)。
        2.

        種結晶

        SiCパウダーをSiCの種結晶表面に蒸着させ、薄膜を形成しながら
        インゴットを生成します。
        3.

        結晶成長

        昇華法(改良レーリー法・昇華再結晶法)
        SICCでは昇華法(改良レーリー法・昇華再結晶法)という成長技術で
        単結晶SiCのインゴットを生産しています。
        4.

        スライス

        昇華法でできたインゴットをスライスし、SiCウェーハの素地を作成。
        5.

        研削研磨

        MP·CMP
        スライスされたSiCウェーハ素地を化学機械研磨
        (CMP=Chemical Mechanical Polish)で鏡面加工します。
        6.

        洗浄・検査

        加工が終わったSiCウェーハを洗浄で清浄度を確認し、
        その後厳しい検査を経てお客様の元に出荷します。(エピレディ基板)
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