1. 製品情報

      4H N型

      SiCウェーハ

      4H n-Type

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      4H N型 SiCウェーハは、導電型の単結晶炭化ケイ素基板です
      ホモエピタキシー用基板として使用されており
      転移欠陥の改善や高い清浄度、高精度の加工技術を日々追求しています
      直径150mmの量産体制を拡充しており、直径200mmの開発を進めています

      *製品の詳細については下記よりお問い合せください。

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      基本仕様

      N型
      • ポリタイプ 4H
      • 直径(mm) 150
      • オフ角(°) 4
      • 厚み(μm) 350
      • 表面 Epi-ready

      電力用パワーデバイス

      N型 SiCウェーハは、SBD、MOSFETなど数多くのパワーデバイスに採用されております。その高熱伝導率、バンドギャップ、化学的安定性、高強度、低損失、高破壊電界などの特性は、今後より多くのパワーデバイスに応用されるものと期待されています。
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